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电子元器件详细资料 » IC[27653] » SI4532CDY-T1-GE3
型号:SI4532CDY-T1-GE3类别:FET - 阵列制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型N 和 P 沟道
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C6A,4.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C47 毫欧 @ 3.5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2223V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs9nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds305pF @ 15V
功率_最大2.78W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

辉华拓展杨泽鹏0755-83202411
深圳市楷瑞达科技电子有限公司朱先生13528893675
深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生0755-82561519
深圳市银芯龙科技有限公司欧阳13510131896
深圳市科恒伟业电子有限公司李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801
深圳市裕硕科技有限公司雷小姐086-0755-23613962/82706142
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SI4532CDY-T1-GE3相关型号

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